Схемотехника СВЧ систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов

В презентации показано проектирование кремниевых интегральных схем на базе принципа СВЧ систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов. Проведено сравнение трендов развития высокоскорстной элементной базы на основе арсенид галлиевых и гетеропереходных кремниевых биполярных транзисторов (ГБТ).

Показано преимущество ГБТ по быстродействию, коэффициенту усиления и шумовым характеристикам по сравнению с интегральными биполярными транзисторами. Отмечено, что существенным является возможность создания системы на кристалле, сочетающей высокоскоростную элементную базу на основе Si гетеропереходных транзисторов с базой легированной германием (верхняя граничная частота 300…350 ГГц)) и малопотребляющий КМОП интерфейс. Представлены дифференциальные библиотеки для цифровых и аналоговых схем. Приведены примеры проектирования цифровых и аналоговых устройств с использованием Si ГБТ.